210度测井存储器
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从技术面观之，根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，后者依功能别又可区分为Code Flash（储存程序代码）以及Data Flash（储存一般数据）；其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。

150度存储器FLash
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Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。

Flash结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还可以快速读取数据，具有NVRAM的优势（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性随机访问存储器）。

在过去，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，Flash的出现，代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘、固态硬盘）。

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RAM随机存取存储器（Random Access Memory）

CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后，所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同，RAM又分为两类：

SRAM静态RAM（Static RAM）

静态RAM速度非常快，只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器（Cache memory）用它组成。

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