200度高温读写存储器厂-合肥启尔特(在线咨询)-读写存储器
175度测井存储器
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,读写存储器,欢迎来电。




Flash 储存器的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash 储存器的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。


150度存储器FLash
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Flash,又叫Flash Memory,即平时所说的“闪存”。

Flash结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的功能,还可以快速读取数据,具有NVRAM的优势(NVRAM:Non-Volatile Random Access Memory,非易失性随机访问存储器)。

在过去,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,Flash的出现,代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘、固态硬盘)。



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Flash 存储器的操作

对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除,或者全部擦除。

Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐,且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址,但必须满足写入的地址是字对齐的。

Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据,但必须满足读取的地址是字对齐的,否则,读出的数据不正确,结果也难以预料。





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