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Nmos作用
NMOS（NegativeMetal-OxideSemiconductor）是一种基于金属氧化物半导体晶体管技术的电子器件。它的主要特点是具有负极性栅场效应，可用于制造低功耗、高速和高压工作的微控制器和数字电路等应用场景中[1]。
在集成电路设计中，[2]NMOS被广泛应用于CMOS图像传感器芯片的电荷转移模块结构上；而在高耐压领域下如超大规模可编程逻辑阵列VLSI系统或通信系统的驱动器需要由更快速的控制门提供电压支持时也会用到N沟道增强型绝缘体上的堆叠双扩散金属氧化物的工艺技术(P阱IDOVM)。
Trenchmos是一种半导体器件，通常用于电子设备中。它的工作原理是基于MOS（金属-氧化物semiconductor）结构中的电场效应效应来控制电流的流动方向和大小变化的过程。
在trenchedMOSFET的结构设计中，栅极与源、漏电极被沟槽所分隔.当有反向电压加到该元件上时则呈现高阻抗特性(offstate)，而当正向偏压施加的电源经由P型区域流入N+区而产生导通现象.在这种状态下可以允许较多的载流子通过并进而达到较高的输出功率以及效率等优点.
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