干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，半导体氧化设备供应商，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，半导体氧化设备，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。

为什么零部件需要去除油污:减少部件表面上的离子杂质。满足容器排气（outgassing)性能的测试 (由第三方实验室检测).此测试检测出了在真空下嵌入金属表面的有机材料的数量和成分。如果测试中的数量太大，则意味着终的加工设备很难将容器真空至全真空状态。815 GD 在这些测试中都有的表现，半导体氧化设备价格， 主要表现为的清洁能力以及测试中未发现清洗剂的残留。

在湿法清洗工艺路线下，目前主流的清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、组合式清洗设备和批式旋转喷淋清洗设备等，其中单片清洗设备市场份额占比高。湿法清洗工艺路线下主流的清洗设备存在程度的区分，主要体现在可清洗颗粒大小、金属污染、腐蚀均一性以及干燥技术等标准。目前至纯科技主要生产湿法清洗设备，提供槽式设备（槽数量按需配置）及单片机设备（8-12 反应腔），均可以覆盖 8-12 寸晶圆制造的湿法工艺设备。

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