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MOS管是利用VGS去控制“感应电荷”的多少，由此去改变由这些“感应电荷”所形成的导电沟道的状况，以此来控制漏极电流。在管子制造时，通过一些特殊工艺使得绝缘层出现大量的正离子，所以在交界面另一侧可以感测出比较多的负电荷，高渗杂质的N区被这些负电荷接通，导电沟道也就形成了，即便在VGS为0时也会有比较大的漏极电流ID。如果栅极电压发生改变时，沟道里的被感应电荷量也会发生改变，导电沟道中的宽窄也会随着改变，因此漏极电流ID会伴随着栅极电压的变化而发生变化。

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参考电压可以来自于采样电阻，也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。

刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，mos厂家，比较器就输出低电平（接近0V）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。

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MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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