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区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆  厘米时,银粒哪家好,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。


由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,银粒工艺,一般可达10~10原子/厘米。经切头去尾,银粒厂家,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。









金属靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。有金属类、合金类、氧化物类等等。

简单说的话,例如:蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜......铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等),即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。

应用于显示屏的阻挡层或调色层,笔记本电脑的装饰层、电池的封装等.



对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。


此外,采用连续硫化法时,如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀,阜阳银粒,则挤压后的硫化速度不一致,这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。

采用连续硫化法时,在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布,这可能会影响电子导电性填充剂的分散。



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