1、什么是外延和外延片？
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？
用得蕞广泛的衬底材料是申化家，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。
磷化家可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，嘉兴led外延片，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。
LED芯片发展历程
我国LED芯片发展历程
2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明，标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动，在国家政策和资金的倾斜支持下，2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段，芯片主要依赖进口。近年来，在国家政策支持下，我国LED芯片厂商加大研发投入，国内LED芯片行业发展迅速，产能逐渐向中国大陆转移，2017年国内LED芯片供过于求苗头初现，led外延片批发，主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
晶元芯片灯珠真伪辨别方法大全
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