210度原装存储器容量

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折叠1.静态存储单元●存储原理:由触发器存储数据

●单元结构:六管NMOS或OS构成

●优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache

●缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大

●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

 

进口150度高温存储器

北京启尔特石油科技新到一批150度高温存储器，此款存储器存储容量256kb，温度可到175度，很多客户采用串联方式使用，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，210度eeprom存储器参数，欢迎来电咨询！

程序存储器：所有带处理器的系统都采用程序存储器，但设计工程师必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，设计工程师才能进一步确定存储器的容量和类型。当然有的时候，微控制器既有内部程序存储器也有外部寻址总线，此时设计工程师可以选择使用它们当中的任何一个，或者两者都使用。这就是为什么为某个应用选择存储器的问题，175度eeprom存储器参数，常常由于微控制器的选择变得复杂起来，以及为什么改变存储器的规模也将导致改变微控制器的选择的原因。如果微控制器既利用内部存储器也利用外部存储器，则内部存储器通常被用来存储不常改变的代码，而外部存储器用于存储更新比较频繁的代码和数据。设计工程师也需要考虑存储器是否将被在线重新编程或用新的可编程器件替代。对于需要重编程功能的应用，人们通常选用带有内部闪存的微控制器，但带有内部OTP或ROM和外部闪存或EEPROM的微控制器也满足这个要求。为降低成本，外部闪存可用来存储代码和数据，但在存储数据时必须小心避免意外修改代码。在大多数嵌入式系统中，人们利用闪存存储程序以便在线升级固件。代码稳定的较老的应用系统仍可以使用ROM和OTP存储器，但由于闪存的通用性，200度eeprom存储器参数，越来越多的应用系统正转向闪存。

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外围电路

　　 （1） 地址译码。

　　　　　 4Kb×1的存储器有4096个存储单元，选择某一单元需要12根地址信号（212=4096），它们被分为行地址和列地址。

　　　(2） I/O电路（输出驱动）。

　　　(3） 读写控制电路。R/W。

　　　(4） 片选信号，CE或CS。

　　　　　 微机存储器由多个存储芯片组成，CPU读写存储器时，必须选中一个芯片，该选择信号称为'片选信号'，一般用CE或CS表示。只有被选中的芯片（CE/CS有效），才能读出或写入数据。

　　　(5） 三态缓冲器（图中未画出）

　　　　　 用于连接CPU数据总线和存储器数据总线。当三态缓冲器选通时，CPU才能与存储器交换数据。否则，CPU与存储器断开。

　　　(6） 刷新电路（图中未画出，仅DRAM存储器需要）

　　　　　　 用于控制DRAM刷新。

 

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