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1.FRAM与E2PROM

FRAM可以作为E2PROM的第二种选择,它除了E2PROM的性能外,访问速度要快得多。但是决定使用FRAM之前,必须确定系统中一旦超出对FRAM的100万次访问之后不会有危险。

2.FRAM与SRAM

从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM,但是从整个设计来看,FRAM还有一定的优势。

假设设计中需要大约3K字节的SRAM,还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。

非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的访问速度是70ns,那么可以使用一片FRAM完成这个系统,使系统结构更加简单。

 


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虚拟存储器源出于英国ATLAS计算机的一级存储器概念。是由硬件和操作系统自动实现存储信息调度和管理的。这种系统的主存为16千字的磁芯存储器,但中央处理器可用20位逻辑地址对主存寻址。到1970年,美国RCA公司研究成功虚拟存储器系统。IBM公司于1972年在IBM370系统上采用了虚拟存储技术。虚拟存储器已成为计算机系统中非常重要的部分。虚拟存储器只是一个容量非常大的存储器的逻辑模型,销售175度进口存储器型号,不是任何实际的物理存储器。它借助于磁盘等辅助存储器来扩大主存容量,使之为更大或更多的程序所使用。它指的是主存-外存层次。以透明的方式给用户提供了一个比实际主存空间大得多的程序地址空间。

 


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PROM,称之为可编程存储器。这就象我们的练习本,买来的时候是空白的,能写东西上去,可一旦写上去,就擦不掉了,所以它只能用写一次,150度进口存储器型号,要是写错了,就报销了。

 EPROM,称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后,如果觉得不满意,能用一种特殊的办法去掉后重写,这就是用紫外线照射,紫外线就象“消字灵”,能把字去掉,然后再重写。当然消的次数多了,也就不灵光了,所以这种芯片能擦除的次数也是有限的——几百次吧。

 FLASH,称之为闪速存储器,它和EPROM类似,写上去的东西也能擦掉重写,但它要方便一些,不需要光照了,只要用电学办法就能擦除,所以就方便许多,而且寿面也很长(几万到几十万次不等)。

 


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