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溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,纯银零部件加工,产品的缺氧率高。
用于复印机和打印机等的带电辊、显影辊、色粉供给辊、转印辊等都必须具备适当的稳定的电阻值。
以往,使上述辊筒具有导电性的方法包括采用在橡胶中混入了金属氧化物粉末和碳黑等导电性填充剂的电子导电性橡胶的方法;采用聚氨酯橡胶、表氯橡胶等离子导电性橡胶(聚合物)或含有季铵盐等离子导电材料的离子导电性聚合物的组合物的方法。
钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是近发展起来的,它作为第三代太阳能电池的阻挡层是佳选择。
由于 W-Ti 系列薄膜具有非常优良的性能,新疆纯银零部件,近几年来应用量急剧增加,纯银零部件回收,2008年W-Ti 靶材世界用量已达到400t,随着光伏产业的发展,这种靶材的需求量会越来越大。具行业预测其用量还会有很大的增加。国际太阳能电池市场以的速度增长,目前世界有30 多公司参与太阳能市场的进一步开发, 并已有的公司产品投入市场。
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