公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，万芯mos管生产厂家，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，万芯mos管价格，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

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MOS管在开关电路里面起到的作用就是控制电路的通断和信号的转换。MOS管大致可分为两大类：N沟道和P沟道。

在N沟道MOS管电路里，BEEP引脚是高电平就可以导通使得蜂鸣器响应，低电平则是关闭蜂鸣器。P沟道MOS管来控制GPS模块电源的通断，万芯mos管报价，GPS_PWR引脚是低电平的时候导通，GPS模块则正常地供电，高电平时使得GPS模块断电。

P沟道MOS管在N型硅衬底上P+区有两个：漏极和源极。这两极彼此之间并不通导，当在接地时源极上加有足够的正电压，栅极下面的N型硅表面就会浮现出P型的反型层，变成连接漏极和源极的沟道。改变栅极的电压可以使沟道里的空穴密度发生变化，因此来改变沟道电阻。这种就被称为P沟道增强型场效应晶体管。

NMOS的特性，Vgs只要大于一定的数值便会导通，适用在源极接地的低端驱动的情况下，前提是栅极的电压达到4V或着10V就行。

PMOS的特性，与NMOS相反，在Vgs只要小于一定的数值便会导通，适用于源极接VCC时高i端驱动的情况下。但是，由于替换种类少，导通电阻大，价格贵等原因，尽管PMOS可以非常方便地用作在高i端驱动的情况下，所以在高i端驱动中，一般都还是使用NMOS。

总的来说，MOS管有着很高的输入阻抗，在电路中方便直接耦合，比较容易制作成为规模大的集成电路 。

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