用压电陶瓷制作的电子元器件有哪些

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由于含铅的PZT基压电陶瓷通常的烧结温度为1200℃以上，处于这个温度的PbO容易挥发.由于铅的挥发:(1)使得PZT陶瓷的化学计量比发生偏差，性能难以稳定控制;(2)对环造成污染，危害人类健康;(3)压电陶瓷器件的多层化，在高温烧结时，内电极常使用铂等，大大提高了器件的成本[12].为了防止铅的挥发、减少铅的损失可以通过密闭容器烧结[13]，加入过量铅成分等方法，但更应该通过降结温度来防止，少铅的损失，还可以节约能源.




但在实际的操作过程中，中低温烧结的温度降低是有限的，低温工艺会提高PZT粉体制备的成本;添加剂的加入容易引入第二相，易降低其电学性能.研究表明[12]，研究者常采用加入过量的氧化铅成分来弥补铅的损失.加入过量的氧化铅在烧结时呈现液相，有助于粉体的致密化行为，但却降低了烧结体的致密度.又由于在PbO液相中TiO2溶解度大于ZrO2的溶解度，过量的氧化铅有可能使烧结的PZT陶瓷中钛含量偏高.而铅的热损失机理有待于进一步研究.


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