一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，中低压mos公司，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，WP中低压mos，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，中低压mos万芯半导体，属于绝缘栅场效应管。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，余姚中低压mos，为您量身定制适合的芯片方案。

现阶段在行业应用层面，排名头一个的是消费类电子器件适配器商品。而按照对MOS管的主要用途掌握，需求MOS管排名在第二的是计算机主板、NB、计算机电源适配器、LCD显示器等商品。在伴随着基本国情的发展趋势，计算机主板、计算机电源适配器、LCD显示器对MOS管的要求有要超出消费类电子器件适配器的状况了。

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MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

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