精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，银焊片生产厂家，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

背靶材料：

无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，大连银焊片，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。

钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲， 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。

热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，银焊片加工，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。

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