公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

mos管小电流发热的缘故

　　1、电路原理的难题，便是让MOS管工作中在线形的运行状态，而不是在开关情况。这也是造成 MOS管发热的一个缘故。假如N-MOS做开关，大电流mos生产厂家，G级工作电压要比开关电源高几V，才可以彻i底通断，P-MOS则反过来。沒有彻i底开启而损耗过大导致输出功率耗费，大电流mos，等效电路直流电特性阻抗较为大，损耗扩大，因此U*I也扩大，耗损就代表着发热。这也是设计方案控制电路的避讳的不正确。

　　2、頻率太高，主要是有时候太过追求完i美容积，造成 頻率提升，MOS管上的消耗扩大了，大电流mos价格，因此发热也增加了。

　　3、沒有做到充足的排热设计方案，电流太高，MOS管允差的电流值，一般必须保持良好的排热才可以做到。因此ID低于较大电流，也很有可能发热比较严重，必须充足的輔助散热器。

　　4、MOS管的型号选择不正确，对输出功率分辨不正确，MOS管内电阻沒有考虑到，造成开关特性阻抗扩大。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

0世纪以来，集成电路产业发展迅速，MOS器件是集成电路的重要元器件，需求量持续增大。MOS，是MOSFET的缩写，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点，是重要的功率分立器件之一，大电流mos万芯半导体，在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段，围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管即可用于放大电流，又可以作为可变电阻，还能用作电子开关，现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中，MOS管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

MOS管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上常见的是增强型N沟通MOS管，厂家可以用一个电压来控制G的电压。

基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器，比较器的输出经过电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。

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