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其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,日本AND供应,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,日本AND多少钱,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用为普遍。热电阻传感器(图6)热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。热电阻大都由纯金属材料制成,应用的是铂和铜,此外,已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。
开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,日本AND,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,日本AND代理商,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。
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