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发热情况有:

1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。

2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。

3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,中低压mos公司,导致开关阻抗增大。





公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,中低压mos价格,为您量身定制适合的芯片方案。


电动车的仪表盘能够显示电量、速率、里程数、显示灯情况等信息内容,一旦仪表盘发现异常或常见故障,轻则会危害客户的交通出行,重则也有有可能致使安全事故的产生,因此 电子电路设计技术工程师在设计方案电动车仪表盘的情况下,必须 综合考虑到仪表盘电源电路所采用的MOS管,MOS管的产品特性和质量,苏州中低压mos,会直接影响到仪表盘的表明精度和质量。







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 结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极也就是晶体管的那个基极,漏极和源极分别是对应晶体管的集电极和发射极。把万用表调到R×1k档,用两表笔分别去测量两个管脚间的正向电阻和反向电阻。当某两个管脚间的正向电阻=反向电阻=KΩ的时候,也就是这两个管脚为源极S和漏极D,剩下的管脚就是栅极G。如果是4个管脚的结型场效应管,另外的一极则是使用中接地的屏蔽极。






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