对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。

此外，采用连续硫化法时，贵金属靶材谁家好，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。

采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。

热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，贵金属靶材价格，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，铜陵贵金属靶材，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。

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