合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，175度高温可擦除存储器参数，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸， 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的（比如100年）。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子，电子能量比较高，可能改变周围的晶格结构，导致浮栅俘获电子能力的下降，也就是表现为保存信息的时间变短， 所以才会有一个保守的写入次数限制（这里说保守是因为半导体的离散性大，实际的次数大得多）。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了， 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖（而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年），所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用（坏了）。 如匠人的方法检测， 写入时测试好好的，可擦除存储器， 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。
175度存储器芯片
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不可重写只读存储器，也可分为两类，包括掩模只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM）。
1、掩模只读存储器（MROM）
掩模只读存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，175度可擦除存储器参数，生产商利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。
MROM又可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器（PROM）
可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。
PROM的缺点是用户只能写入一次数据，写入后就不能再修改。
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存取时间（访问时间）TA：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。
例如：
ROM存取时间通常为几百ns；
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；
双极性RAM存取时间通常为10～20ns。
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