合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
eRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点，其应用前景十分诱人。近年来，人们对它们的研究己取得了可喜的进展，尤其是FeRAM己实现了初步的商业应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破，还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的，但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。
高温210度存储器
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存取时间（访问时间）TA：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。
例如：
ROM存取时间通常为几百ns；
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；
双极性RAM存取时间通常为10～20ns。
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根据Flash生产厂商，可擦除存储器，理论上闪存盘可擦写1，210度可擦除存储器参数，000，000次，折合正常使用次数计算，200度高温可擦除存储器参数，闪存盘里数据可保存约10年左右。
FLASH存储器在使用一段时间后，再次格式化，其容量会自动变小。
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