175度存储器eeprom

合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，210度可编程存储器介绍，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，175度可编程存储器介绍，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

Flash 存储器的操作

对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除，或者全部擦除。

Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐，且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。

Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据不正确，结果也难以预料。

210度进口存储器
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EEPROM存储器原理

EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元，通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压，从而实现数据的存储。与传统ROM相比，EEPROM具有可擦除和可编程的特性，使得数据可以被修改。

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动态随机存储器（DRAM）

动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。

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