合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，210度高温可擦除存储器参数，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，200度高温可擦除存储器参数，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
210度存储器
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寄存器一般是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发，就是一些与非门构成的结构，150度高温可擦除存储器参数，一般整合在CPU内，其读写速度跟CPU的运行速度基本匹配，但因为性能好，所以造价昂贵，一般好的CPU也就只有几MB的2级缓存，1级缓存更小。
存储器是在CPU外，一般指硬盘，U盘等可以在切断电源后保存资料的设备，容量一般比较大，缺点是读写速度都很慢，普通的机械硬盘读写速度一般是50MB/S左右。
所以内存和寄存器的出现就是为了解决存储器读写速度慢而产生的多级存储机制。
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EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸， 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的（比如100年）。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子，电子能量比较高，可能改变周围的晶格结构，导致浮栅俘获电子能力的下降，也就是表现为保存信息的时间变短， 所以才会有一个保守的写入次数限制（这里说保守是因为半导体的离散性大，实际的次数大得多）。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了， 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖（而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年），所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用（坏了）。 如匠人的方法检测， 写入时测试好好的， 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。
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