发射压控振荡器原理

众所周知，只能接收890M-915M(GSM)的频率信号，而中频调制器调制的中频信号(如三星发射中频信号135M)不能接收的，因此，要用TX-VCO把发射中频信号频率上变为890M-915M(GSM)的频率信号。当发射时，电源部分送出3VTX电压使TX-VCO工作，产生890M-915M(GSM)的频率信号分两路走：a)、取样送回中频内部，与本振信号混频产生一个与发射中频相等的发射鉴频信号，七专级电压可调振荡器单价，送入鉴相器中与发射中频进行较;若TX-VCO振荡出频率不符合手机的工作信道，则鉴相器会产生1-4V跳变电压(带有交流发射信息的直流电压)去控制TX-VCO内部变容二极管的电容量，达到调整频率准确性目的。b)、送入功放经放大后由天线转为电磁波辐射出去。

压控石英振荡器用途

“压控石英振荡器（voltage-controlled crystal oscillator，七专级电压可调振荡器报价， VCXO）”通常被使用在下列场合：当频率需要在小范围内的调整时、当正确的频率或相位对于振荡器而言是十分重要时、利用不同电压来当作控制源的振荡器、用来分散在某个频率范围内的干扰使该频段不受到太大的影响。压控石英振荡器的典型频率变化在数十个 ppm 之间，这是因为品质高系数（Quality Factor， or Q Factor）的石英振荡器只会产生少量的频率范围位移。

锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，七专级电压可调振荡器，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，七专级电压可调振荡器原厂，也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用TCAD混合模拟的方法，针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。

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