石墨烯的制备工艺

剥落。基本上有两种不同的方法来制备石墨烯。一方面，石墨烯可以与已有的石墨晶体分离，即所谓的去角质方法，另一方面，石墨烯层可以直接在基质层上生长。2004年，诺沃塞洛夫和Gaim用一种简单的胶粘带将石墨烯制成了石墨烯。

分散的石墨

石墨烯可以在液相中制备。这样可以提高产量，从而获得更高的石墨烯量。i简单的方法是将石墨分散在有机i溶剂中，其表面能量几乎与石墨相同。因此，能量障碍必须克服，才能从晶体中分离出来。然后超声在超声波浴中进行数百小时或电压的应用。在分散后，溶液必须离心，以处理厚片。所获得的石墨烯薄片的质量非常高，且具有很高的力学性能。但是它的大小仍然非常小，也不具备可控性。另一方面，复杂性很低，正如上面提到的，这个方法允许准备大量的图形。用热或化学方法将石墨烯导入常规石墨烯。几乎不可能处理掉所有的氧气。。这种方法的性能与原始石墨烯的液相剥离非常相似。只有复杂程度更高，石墨烯成套设备厂家，因为石墨氧化物必须首先生产，所以需要使用几种化学物质。此外，微波石墨烯成套设备，所获得的氧化石墨烯必须在以后减少，使用热处理或化学试剂。与原始石墨烯相比，还原氧化石墨烯的质量很差，但氧化石墨烯可能是理想的产品。用Ca和Mg离子修饰的氧化石墨烯可以形成非常拉伸的氧化石墨烯纸，因为在石墨烯薄片的官能团之间，离子是交联剂。

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浅谈石墨烯的制备方法

化学气相沉积法：化学气相沉积法是指用甲i烷、乙醇等碳源（含碳前驱体）在高温下分解释放出碳原子，并经退火沉积在基底（多为金属基底）生长石墨烯的方法（俗称烧炉子╮(╯-╰)╭），是目前有可能得到大面积、高质量石墨烯的理想方法。

根据金属基底材料的不同，CVD 有两种生长机制：一是渗碳析碳生长，这是由金属基底在高温下溶碳量较高造成的（常见的有镍、钴等金属），前驱体高温分解释放碳原子，碳沉积并渗入基底内，降温时析出生长形成石墨烯；二是表面吸附生长，铜、铂等金属溶碳量较小，碳原子直接吸附到金属表面生长形成石墨烯。这两种生长机制中后者更易形成大面积单层石墨烯。

外延生长法：1962年，Badami 在近乎真空的条件下对 SiC 加强热后发现了石墨的存在，这就是 SiC 外延生长的起源。外延生长一般是以 SiC 为原料，将其置于高温、低压环境中，利用 Si 原子的升华速度比 C 原子快得多把 Si 除去而只留下 C 在其表面，之后表面的 C 原子会发生重构生长形成石墨烯。

外延生长和 CVD 本质上都是利用碳原子在基底表面发生重构形成石墨烯片层，所以二者都能较好的实现石墨烯的大面积、高均一性的高质量生长，不过外延生长的条件更为苛刻，还存在 SiC 成本过高、石墨烯难以与基底分离等 CVD 法没有的困难，进而极大地限制了工业化应用。

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石墨烯的行业分析

从2018中国国际石墨烯创新大会上所展示的应用成果来看，无论是石墨烯发热服、防i弹衣，福州石墨烯成套设备，还是石墨烯节能幕墙、环保涂料，石墨烯应用遍地开花，中国石墨烯产业道路正越走越宽广。

2018年很大的一个亮点是，我国石墨烯应用发展不仅仅在“量”上取胜，而且在“质”的层面有了一些重要突破。比如，一种防高温高湿、防盐雾腐蚀、防霉菌的石墨烯“三防”涂层技术已在秦皇岛经济技术开发区研发成功，可应用于舰船燃气轮机、航空航天发动机高温部件保护以及舰船防盐雾及海生物腐蚀等，解决了我国在这一领域的技术难题，填补了高i端产业空白。

总之，石墨烯是一个全新的行业，需要时间的沉淀。随着低成本、、规模化应用技术的突破，产业化应用从低端走到高i端，从小规模走到大规模，石墨烯行业未来可期。

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