在当今科技飞速发展的时代，高纯氦气在众多关键领域发挥着不可或缺的作用。
在半导体制造过程中，高纯氦气被广泛应用于芯片的光刻、蚀刻以及薄膜沉积等工艺环节。
高纯氦气作为一种惰性保护气体，能够有效防止芯片在制造过程中受到杂质的污染，确保芯片的微观结构和电学性能的高度一致性与稳定性。例如，在极紫外光刻（EUV）技术中，超纯氦气的能供应对于实现高精度的芯片图案转移至关重要，其微小的杂质含量波动都可能导致芯片出现缺陷，影响整个集成电路的性能与成品率。
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高纯氦气的制备是一项复杂且精细的工程，涉及多种技术与严格的工艺控制。
目前，工业上主要采用低温精馏法来制取高纯氦气。这一方法基于氦气与其他气体在沸点上的显著差异，将含有氦气的混合气体在极低温度下进行精馏分离。
先是原料气经过预处理，去除其中的大部分杂质，如水分、二氧化碳等。然后，进入低温精馏塔，在准确控制的温度和压力条件下，氦气逐渐从塔顶富集并被分离出来。
然而，要获得高纯氦气，仅靠低温精馏法还远远不够。后续还需要一系列的纯化步骤，如吸附、催化反应等。吸附过程利用特殊的吸附剂材料，去除氦气中残留的微量杂质气体，如氧气、氮气、氢气等。催化反应则用于将某些难以通过吸附去除的杂质转化为易于分离的物质。
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高纯氦气在使用过程中，如果发生泄漏会有哪些安全隐患？
高纯氦气在使用过程中发生泄漏存在一定安全隐患。
先是，氦气泄漏会置换空气中的氧气，在封闭空间内可能导致人员窒息。因为氦气本身是惰性气体，不会支持呼吸，当氦气浓度过高时，氧气浓度相对降低，人体会因缺氧而出现头晕、呼吸困难甚至昏迷等症状。
其次，在一些对气体环境要求严格的场所，如实验室或电子工业生产车间，氦气泄漏可能会影响实验结果或产品质量。并且，在有火源的附近，大量泄漏的氦气会迅速扩散，改变局部气体组成，虽然氦气不可燃，但可能会干扰正常的燃烧环境。
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