3080mos万芯半导体-3080mos-炫吉电子





公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,3080mos万芯半导体,为您量身定制适合的芯片方案。

 MOS管导通的意思就是将其做为开关,等同于开关合闭。NMOS的特点是当Vgs超过限定的值时就会导通,适用与源极接地装置的状况,只需栅压电压做到4V或10V就可以了。而PMOS的特点则是当Vgs低于一定的值就会导通,适用与源极接Vcc的状况。可是,尽管PMOS能够很便捷的作为高i档驱动,但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故,在高i档驱动中,一般都用NMOS。






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用电源IC立即驱动MOS管

一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定:

(1)开关管启用瞬间,驱动电路应能输出非常大的电流,使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值,确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。

(2)电源开关通断期内,WP3080mos,驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持,3080mos公司,且有效通导。

(3)关闭一瞬间驱动电路,能供应一个尽量低阻抗的通道,供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流,确保开关管能迅速关闭。



(4)驱动电路构造简易靠谱、耗损小。

(5)依据具体情况开展防护。

在控制模块电源中,常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中,应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大,电源IC內部的驱动能力又不够时,必须在驱动电路上提高驱动能力,常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。






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MOS管的选型是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,同时也会给工程师带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。






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