在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，贵金属复合材料厂，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，辽阳贵金属复合材料，但如使用在有机物电解液中进行电解，贵金属复合材料谁家好，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

近年，随着图像质量的提高，色粉直径也越来越小。在微孔孔径较大的发泡辊筒中，色粉进入辊筒的微孔内不易去除，贵金属复合材料加工，所以存在图像混乱的问题。因此，对于使用微细色粉的高画质复印机和打印机用辊筒，特别是色粉供给辊，要求更细的微孔。在制造发泡辊筒时，与间歇式方法相比，连续硫化处理法的优点是能够使发泡微孔的直径更小。以往的导电辊使用了不会因其中的导电性填充剂的不均匀而导致电阻值不均匀的离子导电性橡胶，但是问题在于很难采用经济上及效率上都有利的连续硫化法进行制造。

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