它在大气中的寿命约为50，000年，增温(暖化)系数是6，500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似，但四氟化碳不会破坏臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，高纯四氟化碳，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。

四氟化碳物理性质 :

   熔点-183.6℃，

   分子式是CF4，四氟化碳厂家，

　　沸点-128.1℃，

　　液体密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液体折光率(-173℃)1.515，

　　固体转变点72.2K，

　　临界温度-45.67℃，四氟化碳，

　　临界压力3.73MPa，

   蒸气压（-150.7℃）13.33kPa

  介电常数（25℃，0.5MPa）1.0006

　　临界密度：7.1dm3/mol

　　标准摩尔自由能：-929.84 kJ/mol

　　标准摩尔生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危险性类别：第2.2类不燃气体

四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。

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