电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留出足够的余量，才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。

三极管是一种流控型器件，MOS管是压控型器件，WPmos管价格，两者之间有相似之处，在选择时需要考虑耐压、电流等参数。

1、根据耐压选型

三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO，WPmos管哪家好，工作时CE之间的电压不得超过规定值，否则三极管将永i久损坏。

在使用过程中，MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压，工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说，MOS管的耐压值远高于三极管。

2、过电流能力

三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时，流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件将会被烧坏。

考虑到工作稳定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作温度

商业级芯片：一般范围在0到+70℃；

工业级芯片:一般范围在-40到+85℃；

军i工级芯片：一般范围在-55℃到+150℃；

在进行MOS管选型时，宁波WPmos管，要根据产品的使用场合选择合适的芯片。

4、根据开关频率选择

三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中，必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。

5、其他选型条件

例如，MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

0世纪以来，集成电路产业发展迅速，MOS器件是集成电路的重要元器件，需求量持续增大。MOS，是MOSFET的缩写，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点，是重要的功率分立器件之一，在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段，围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。

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MOS管即可用于放大电流，又可以作为可变电阻，还能用作电子开关，现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中，MOS管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

MOS管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上常见的是增强型N沟通MOS管，厂家可以用一个电压来控制G的电压。

基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器，比较器的输出经过电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。

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