锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用TCAD混合模拟的方法，针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，七专级电压可调振荡器加工，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，七专级电压可调振荡器，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。

LC压控型压控振荡器

在任何一种LC振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成LC压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型LC压控振荡器的原理电路。图中，T为晶体管，七专级电压可调振荡器报价，L为回路电感，C1、C2、Cv为回路电容，Cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。当输入控制电压uc改变时，电压可调振荡器，Cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为VCO输出频率与控制电压关系式中C0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。

如何选择压控晶体振荡器？

有源石英晶体振荡器分为普通振荡器，温补振荡器TCXO，压控振荡器VCXO，恒温振荡器OCXO等等，从使用数量来看普通振荡器和温补振荡器可观，一个代表通用型，一个代表频率高精度型；而压控和恒温市场需求相对较少，但是从选型难易程度看，恒温虽然代表着更高的技术要求，很多指标要求从设计上已经达到标准，所以在选择上相对简单，而压控晶振它牵涉到更多的性能指标，不同性能指标其用法及成本均有很大的差异，所以在这里对压控晶振的选型做相关的介绍 。

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