LED芯片的分类有哪些呢？
MB芯片定义与特点
定义：Metal Bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。
特点：
(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。
(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，led芯片多少钱，避免衬底的吸收。
(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
(4)底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
(5)尺寸可加大，led芯片批发，应用于High power领域，eg:42mil MB。
LED大功率芯片一般指多大面积的芯片?
用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻，led芯片价格，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
在晶片上生长为外延片的步骤：
在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺，称为外延；长有外延层的晶体片称为外延片；外延材料是LED的部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延（MOCVD），目前主流方式为 MOCVD，苏州led芯片，而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备，在2008年前后时期，一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。
把衬底放到外延炉中，然后控制化合物气体在衬底上沉积，就像植物从地下生长上来一样，化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样，所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。
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