一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，嘉兴led芯片，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
什么是外延和外延片？
1、什么是外延和外延片？
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？
用得蕞广泛的衬底材料是申化家，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。
磷化家可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，led芯片多少钱，易于加工，led芯片报价，导热率较高，利于制作功率器件。
如何控制和提高LED全彩显示屏品质
全彩LED显示屏的显示效果直接关联着用户、受众，要想获得的使用体验，需要控制和提高LED显示屏的品质。那么，如何控制和提高LED全彩显示屏品质？反映全彩LED显示屏LED品质的重要指标是什么？
LED器件作为全彩LED显示屏的关键部件，原因有三：
首先，LED是全彩屏整机中使用数量的关键器件，每平方米会使用几千至几万只LED；
其次，LED是决定整屏光学显示性能的主体，直接影响观众对显示屏的评价；
再次，LED在显示屏整体成本中所占比例大，从30%~70%不等。LED的选择决定整个显示屏50%以上的品质。如果未能选择好LED，显示屏的其他部件再好也无法弥补显示屏品质的缺陷。
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