二、多晶硅 多晶硅是许多单晶（晶粒）的聚合物。这些晶粒的排列是无序的，正压送风压力传感器开关，不同晶粒有不同的单晶取向，而每一晶粒内部有单晶的特征。晶粒与晶粒之间的部位叫做晶界，晶界对其电特性的影响可以通过掺杂原子浓度调节。多晶硅膜一般由低压化学气相淀积（LPVCD）法制作而成，其电阻率随掺硼原子浓度的变化而发生较大变化。多晶硅膜的电阻率比单晶硅的高，特别在低掺杂原子浓度下，多晶硅电阻率迅速升高。随掺杂原子浓度不同，其电阻率可在较宽的数值范围内变化。 多晶硅具有的压电效应：压缩时电阻下降，正压送风压力传感器，拉伸时电阻上升。多晶硅电阻应变灵敏系统随掺杂浓度的增加而略有下降。其中纵向应变灵敏系数大值约为金属应变计大值的30倍，正压送风压力传感器接线，为单晶硅电阻应变灵敏系数大值的1/3；横向应灵敏系数，其值随掺杂浓度出现正负变化，故一般都不采用。
压力传感器的种类和工作原理介绍
电阻应变片压力传感器、压阻式压力传感器、半导体应变片压力传感器、电容式压力传感器、电感式压力传感器等等都属于压力传感器的一种，这些传感器的基本原理都是一致的，只不过用来感知压力的部件和方式有所不同，其中压阻式压力传感器因为价格低廉、性能良好而被应用地广泛
半导体压力传感器应运而生，它更轻便、，更能适应环境，逐渐取代了传统压力传感器。
此外，正压送风压力传感器价格，与单晶硅压阻相比，多晶硅压阻膜可以在不同的材料衬底上制作，如在介电体（SiO2、Si3N4）上。其制备过程与常规半导体工艺兼容，且无PN结隔离问题，因而适合更高工作温度（t≥200℃）场合使用。在相同工作温度下，多晶硅压阻膜与单晶硅压阻膜相比，可更有效地抑制温度漂移，有利于长期稳定性的实现。多晶硅电阻膜的准确阻值可以通过光刻手段获得。 综上所述，多晶硅膜具有较宽的工作温度范围（-60~+300℃），可调的电阻率特性、可调的温度系数、较高的应变灵敏系数及能达到准确调整阻值的特点。所以在研制微传感器和微执行器时，利用多晶硅膜这些电学特性，有时比只用单晶硅更有价值。例如，利用机械性能优异的单晶硅制作感压膜片，在其上覆盖一层介质膜SiO2，再在SiO2上淀积一层多晶硅压阻膜。这种混合结构的微型正压送风压力传感器，发挥了单晶硅和多晶硅材料各自的优势，其工作高温至少可达200℃，甚至300℃；低温为-60℃。
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