一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，中低压mos公司，属于绝缘栅场效应管。

怎么选场效应管？

决议采纳N沟道还是P沟道MOS管。正在垂范的功率使用中，当一度MOS管接地，而负载联接到支线电压上时，该MOS管就构

成了高压侧电门。正在高压侧电门中，应采纳N沟道MOS管，这是出于对于开放或者导通机件所需电压的思忖。当MOS管联接到总线及负载接地时，中低压mos价格，就要用低压侧开关。一般会正在某个拓扑中采纳P沟道MOS管，这也是出于对于电压驱动的思忖。

肯定所需的额外电压，或者许机件所能接受的电压。额外电压越大，机件利润就越高。依据理论经历，额外电压该当大于支线电压或者总线电压。那样能力需要剩余的掩护，使MOS管没有会生效。就取舍MOS管而言，必需肯定漏极i至源极间能够接受的电压，即VDS。晓得MOS管能接受的电压会随量度而变迁这点非常主要。咱们须正在整个任务量度范畴内测试电压的变迁范畴。额外

电压必需有剩余的余量遮盖某个变迁范畴，确保通路没有会生效。需求思忖的其余保险要素囊括由电门电子设施（如发电机或者变压器）诱发的电压瞬变。没有同使用的额外电压也有所没有同；一般，便携式设施为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC使用为450～600V。KIA半超导体设想的MOS管耐压威力强，使用畛域广，宁波中低压mos，深受辽阔存户青眼。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

 跟双旋光性晶体三极管对比，一般觉得使MOS管导通不用电流量，只需要GS电压高过一定的值就可以了。做到这一点比较容易，WP中低压mos，我们主要是需要一定的速率。

     对于MOS管的结构来说，我们可以发现在GS、GD里会有一些寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容充电和放电。对于电容的充电我们只需要一个电流就够了，由于电容在充电的瞬间相当于可以把电容当做是短路，这个时候的瞬间电流会比一般情况下数值要高一些。因此我们再挑选或者是设计MOS管驱动电路方案的时候，首先要先留意可提供的瞬间短路电流大小。

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