LED芯片的制造工艺流程：
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极(P极，N极)，接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀)，制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试：
1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。
2、晶圆切割成芯片后，100%的目检(VI/VC)，操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，广州LED模组，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
4、蕞后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上蕞多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。
外延片与晶圆的关系
分子束外延法属于物理气相沉积PVD里的真空蒸发法的一种，广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。
芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer，前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积，LED模组供货商，也就是真空镀膜，分子束外延就是薄膜沉积的一种方法，在裸硅片（或者其他衬底）上利用分子束外延法镀上多层薄膜，形成该芯片所需要的结构，用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片，外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节，再经过打线、Bonder、FCB、BGA植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。
说到LED芯片行业的发展历史，离不开几个重要的时间节点。2003年6月，中国科技部首i次提出要发展半导体照明；2006年“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动；2009年开始，中国各地对于LED芯片制造厂商采购MOCVD予以补贴，国内LED芯片厂商收入与净利润增加，同时竞争者数量不断攀升，行业竞争加剧。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的公告及路线图，LED模组定制价格，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年这几年是淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。进入 2016 年以后，各大LED芯片厂扩产带来的产能释放，行业洗牌前夕来临。由于产能过剩，LED芯片引起激烈的价格竞争，导致不少芯片厂商营收和净利润双双下降，众多中小厂商被i迫退出市场。
国外厂商也开始调整策略，对国际大厂来说，他们在技术成熟的LED通用市场已失去明显的竞争优势，切断LED“残腕”或是明智之举，为避免激烈竞争造成的损失扩大。
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