坩埚变形带来的影响：

1.坩埚变形后，在生产单晶硅的过程中，就会随着坩埚位置的上升，设备的突起部分将会碰到导流筒，将直接影响单晶硅的生产，甚至将会无法生产。

2.溶料中发生鼓包且鼓包较大时，在拉晶过程中随着液位的下降，鼓包会渐渐露出液面，这时已经拉出的晶棒会碰擦鼓包，如不及时停炉会发生晶棒跌落的严重事故。

3.熔料中发生挂边造成的坩埚变形，光学玻璃坩埚，坩埚上口向内凸出过多，光学玻璃坩埚型号，当熔完料埚位上升到正常引晶位置时，光学玻璃坩埚品牌，已碰撞到导流筒，这将直接导致不能拉晶的严重后果。

坩埚检验标准：

1.气泡a. 坩埚内表面不允许有开放的气泡.b. 坩埚内表面不允许因气泡造成凸出的点.c. 距口边40㎜以外处在坩埚壁厚内的气泡数量(只数)应不大于表3规定

2. 不允许有未熔融的原料份或杂质附着物存在即生料点。

3. 铝、钙、铁、铜、钾、钠、锂、硼等13个杂质元素的总含量不大于5×10-5 其中该 8种杂质元素的含量应不大于下表的规定.      

坩埚热处理：预热处理就是为了给坩埚进行除湿操作，可以将新的坩埚在使用之前的4-5个小时将其放置在油炉边预热。也可以在新坩埚使用前在坩埚内放置木炭燃烧4个小时左右，这样也能够给坩埚除湿。新的坩埚炉内升温预热的时间温度变化：0℃--200℃ 慢速升温 4H 油 0℃--300℃ 慢速升温 1H 电 200℃--300℃ 慢速升温 4H 炉 300℃--800℃ 慢速升温 4H 炉 300℃--400℃ 慢速升温 4H 400℃--600℃ 快速升温保持 2H4.停炉后，开炉预热时间如下：油炉及电炉： 0℃--300℃ 慢速升温 1H 300℃--600℃ 慢速升温 4H 600℃－快速升温到 需要之度数。

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