超纯金属的制备有化学提纯法如精馏（特别是金属氯化物的精馏及氢还原）、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等（见硅、锗、铝、铟）。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合有效。

由于容器与药剂中杂质的污染，使得到的金属纯度受到一定的限制，只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后，再用物理方法如区熔提纯，才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。

背靶的选择

对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右

导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好；

强度足够：太薄，易变形，不易真空密封。

结构要求：空心或者实心结构；

厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，金圆柱靶哪家好，容易变形。

铟焊绑定的流程

1.绑定前的靶材和背板表面预处理

2.将靶材和背板放置在钎焊台上，升温到绑定温度

3.做靶材和背板金属化

4.粘接靶材和背板

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，哪里有金圆柱靶，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，吉林金圆柱靶，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

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