国产200度晶体振荡器价格-启尔特(在线咨询)-晶体振荡器
150度高温贴片晶振
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PIC单片机振荡电路中如何选择晶体?

对于一个高可靠性的系统设计,晶体的选择非常重要,尤其设计带有睡眠唤醒,往往用低电压以求低功耗的系统,这是因为低供电电压使提供给晶体的激励功率减少,造成晶体起振很慢或根本就不能起振,这一现象在上电复位时并不特别明显,国产175度晶体振荡器参数,原因时上电时电路有足够的扰动,很容易建立振荡,在睡眠唤醒时,电路的扰动要比上电时小得多,起振变得很不容易,在振荡回路中,晶体既不能过激励,容易振到高次谐波上,也不能欠激励不容易起振,晶体的选择至少必须考虑、谐振频点、负载电容、激励功率、温度特性长期稳定性。



175度高温无源晶振
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有源晶振的电路设计:

1. 有源晶振有四个引脚:电源正负、输出引脚和空引脚。有源晶振的电路设计相对简单,只需将电源正负接到有源晶振的对应引脚,然后将输出引脚连接到单片机的时钟输入引脚。

2. 有源晶振的波形是方波,这是因为其内部电路对振荡信号进行了放大和。无源晶振的波形是正弦波,因为它没有内部电路进行。


无源晶振和有源晶振的区别:

1. 无源晶振需要外部电路提供激励,而有源晶振内部集成了振荡电路。

2. 无源晶振的波形是正弦波,有源晶振的波形是方波。

3. 无源晶振的电路设计相对复杂,需要额外的电容和电阻;有源晶振的电路设计简单,只需连接电源和输出引脚。

4. 有源晶振的稳定性和精度通常优于无源晶振。




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选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比,可以表示为功率耗散电容值。比如,HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时,相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容,整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容,相应地也需要更多的电流。相比之下,晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能,范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器,如MAX7375,工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素:精度、成本、功耗以及环境需求。



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