精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，纯铂靶材价格，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，纯铂靶材工艺，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。

背靶的选择

对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，大连纯铂靶材，厚度在3mm左右

导电性好：常用无氧铜，纯铂靶材谁家好，无氧铜的导热性比紫铜好；

强度足够：太薄，易变形，不易真空密封。

结构要求：空心或者实心结构；

厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。

铟焊绑定的流程

1.绑定前的靶材和背板表面预处理

2.将靶材和背板放置在钎焊台上，升温到绑定温度

3.做靶材和背板金属化

4.粘接靶材和背板

纯铂靶材工艺-沈阳东创【精益求精】-大连纯铂靶材由沈阳东创贵金属材料有限公司提供。沈阳东创贵金属材料有限公司是辽宁 沈阳 ,冶炼加工的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在东创贵金属领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创东创贵金属更加美好的未来。