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MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，WPmos管生产厂家，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

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场效应管的主要参数有很多种，其中包含直流电流、交流电流的参数和极限参数，但一般应用时只需关心下列基本参数：饱和状态的漏源电流量IDSS夹断电压Up，WPmos管哪家好，跨导gm、漏源击穿电压BUDS、较大损耗输出功率PDSM和较大漏源电流量IDSM。

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我国是全世界极大的MOS器件市场，2020年，我国MOS器件市场规模约为187亿元，在全世界总市场中的占比达到45%。我国是全世界极大的智能手机、汽车生产国，5G技术处于全世界的头部位置，且新型电子产品不断问世，因此MOS器件市场前景好，且高的性能的产品需求不断上升。这些因素有利于我国围栅硅纳米线MOS器件行业发展。

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