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Flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash 储存器采用内部闭合电路,进口210度存储器单价,这样不仅使电子区能够作用于整个芯片,进口175度存储器单价,还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净,以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节,而Flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。Flash 储存器的工作速度大幅优于传统EEPROM芯片。


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随着技术的发展,“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写:

EPROM:与一般的ROM不同在于,它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。

FLASH:闪速存储器,是完全非易失的,可以在线写入,并且可以按页连续字节写入,读出速度快。



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从技术面观之,根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据);其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR,而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。


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