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合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,175度进口只读存储器价格,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM):可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。根据所采用的存储器单元工作原理的不同,又将随机存储器分为SRAM和动态存储器DRAM。DRAM存储单元结构非常简单,他所能达到的集成度远高于SRAM。构成存储器的存储介质,存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节(按字节编址)。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示2的20次方,即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节,则该存储器的存储容量为1MB。
150度进口存储器
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存储器本身不具有地址信息,只读存储器,它的地址是由芯片厂商或用户分配,给存储器分配地址的过程称为存储器映射,如果再分配一个地址就叫重映射存储器映射ARM 将这 4GB 的存储器空间,平均分成了 8 块区域, 每块区域的大小是 512MB(1)Block0 内部区域功能划分Block0 主要用于设计片内的 FLASH,0x0000 0000-0x0007FFFF:取决于 BOOT 引脚,为 FLASH、系统存储器、 SRAM 的别名。0x08000000-0x0807FFFF:片内 FLASH,我们编写.
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EEPROM单元坏与不坏界线很是模糊。 EEPROM单元能写入信息是因为它的浮栅能俘获电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸, 所以说EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年)。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的晶格结构,导致浮栅俘获电子能力的下降,也就是表现为保存信息的时间变短, 所以才会有一个保守的写入次数限制(这里说保守是因为半导体的离散性大,实际的次数大得多)。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了, 而是说该单元保持信息的时间已不可信赖(而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年),所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用(坏了)。 如匠人的方法检测, 写入时测试好好的, 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。
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