200度高温存储器
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动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。

150度测井存储器
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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗，高温150度只读存储器价格，因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式，则可以降低能耗。但是，EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗，因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显，通过功率门控的快速写入，非易失性存储器可以实现低的能耗。

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电压稳定性：确保EEPROM存储器的供电电压稳定，避免电压过高或过低。可以使用IRF7832TRPBF稳压器或电压监测器来监测和调节供电电压。

写入和擦除保护：在写入和擦除操作之前，可以使用写入和擦除保护功能来确保操作的正确性。这可以通过设置特定的控制位或使用写入和擦除保护的硬件电路来实现。

温度控制：EEPROM存储器对温度敏感，过高或过低的温度都可能导致存储器的故障。因此，应尽量保持EEPROM存储器在适宜的温度范围内工作。

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