原装210度存储器
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EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。EEPROM直接采用电来重写数据，并可按字节进行擦除和再编程，从而克服了一般ROM的缺点和不足。但由于EEPROM的存储量一般不大，因此只适用于一些小容量存储的场合。

175度存储器FLash
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，175度进口只读存储器价格，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

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根据Flash生产厂商，理论上闪存盘可擦写1，000，000次，折合正常使用次数计算，闪存盘里数据可保存约10年左右。

FLASH存储器在使用一段时间后，再次格式化，其容量会自动变小。

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