测井175度存储器
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FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，高温200度只读存储器价格，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，175度进口只读存储器价格，而是全片或分块擦除。

210度测井存储器
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从技术面观之，根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，高温210度只读存储器价格，后者依功能别又可区分为Code Flash（储存程序代码）以及Data Flash（储存一般数据）；其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。

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动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。

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