4.

焦电陶瓷：

利用陶瓷的焦电特性，可以制成红外线侦测器，用以高温计、辐射计、警报系统、与热影像等用途上。

5.

磁性陶瓷：

简单的说，磁性陶瓷就是可以具有磁性的陶瓷。有磁性的物质很多，但是由於陶瓷所具有的磁性强度是别的材料所难以比拟的，

因此大量的被用在制作电感或变压器的磁蕊，磁性记忆材料（如软硬碟或磁带上的涂膜），各种微波元件，与扬声器、马达等等。

6.

电光陶瓷：

电光陶瓷是指当改变加於其两端的电压时，可以控制通过他的光线的型态，例如PLZT，

可以用来制作光调变器，或使光左右扫瞄的偏光器。

氧化物掺杂改性 从铅基陶瓷发展历程可知，氧化物掺杂改性是提高PZT陶瓷电学性能的必要途径，是PZT陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(MPB)组成的Pb(Ti0.48Zr0.52)O3陶瓷d33仅为223pC/N，而在La，Nb等施主掺杂改性后，其d33升高至274~710pC/N，压电陶瓷条价格低，从而满足实际应用的要求.类似地，氧化物掺杂改性对BNT基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的BNT基陶瓷的压电性能.从表4可以看出，类似于氧化物改性的PZT陶瓷，受主和施主离子掺杂改性将导致BNT基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.Mn和Co一般显示出受主掺杂效应.Co掺杂提高了机械品质因数Qm，压电性能略为降低;与Co稍有不同，Mn掺杂使Qm提高，也改善了压电性能，这可能是由于陶瓷致密度的改善和Mn元素本身的多价态特性.

2.

介电陶瓷：

介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支，主要用在制作电容器，传统的电容器包括了温度补偿型，高K型与半导型。由於目前电子元件追求小型化，因此将多层的电容做积层的串连，成为积层电容器，大量的以SMT（表面黏着技术）使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件，则运用在大哥大电话，位星通讯等高频通讯的领域，在讲究个人通讯的今日，有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化，利用其高介电性，可以应用在高容量DRAM（动态随机记体）的制造中。例如1996年日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM，具有极高的商业潜力，利用自发性极化，可以作为非挥发性记忆体，未来可能取代硬碟，成为大容量IC


记忆体的新宠儿。

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