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存取时间（访问时间）TA：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。
例如：
ROM存取时间通常为几百ns；
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；
双极性RAM存取时间通常为10～20ns。
150度芯片存储器
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闪速存储器（Flash ROM）是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器，高温175度只读存储器容量，是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，Flash ROM突破了传统的存储器体系，改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存，但又像RAM一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM的内部信息可读不可写，类似于ROM，而在较高的电压下，其内部信息可以更改和删除，高温175度只读存储器厂，又类似于RAM。
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CMOS内存是一种只需要电量就能存放数据的芯片。由于耗能极低，CMOS内存可以由集成到主板上的一个小电池供电，这种电池在计算机通电时还能自动充电。因为CMOS芯片可以持续获得电量，所以即使在关机后，他也能保存有关计算机系统配置的重要数据。
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