只读存储器-合肥启尔特-高温200度只读存储器厂
210度存储器芯片
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电擦可编程只读存储器(EEPROM或E2PROM)

EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除,擦除速度较快,甚至在联机状态下也可以操作。相对来说,EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式,使用字擦除方式可擦除一个存储单元,使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。



测井210度存储器

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根据Flash生产厂商,理论上闪存盘可擦写1,000,高温200度只读存储器厂,000次,折合正常使用次数计算,闪存盘里数据可保存约10年左右。

FLASH存储器在使用一段时间后,再次格式化,其容量会自动变小。



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1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。

用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外,还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。



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