合肥启尔特(图)-高温175度读写存储器容量-读写存储器
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闪速存储器(Flash ROM)是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器,是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,Flash ROM突破了传统的存储器体系,改善了存储器产品的特性。

Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存,读写存储器,但又像RAM一样可重写。在某种低电压下,Flash ROM的内部信息可读不可写,类似于ROM,而在较高的电压下,其内部信息可以更改和删除,又类似于RAM。



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有许多比较各种新兴存储器的基准指标,包括写入速度、功耗、耐久性、资料保存期限、可扩展性(scalability)等。但新兴存储器的材料、结构、甚至工作机制,都还在快速进展之中,单看这些数据并不能有较远的能见度。


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FLASH存储器就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入,高温210度读写存储器介绍,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,高温200度读写存储器介绍,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。


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