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合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,高温150度读写存储器容量,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
1.位翻转错误:EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转,导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。
2、写入错误:EEPROM存储器在写入数据时,可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。
3、擦除错误:EEPROM存储器在擦除数据时,可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。
210度存储器
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寄存器一般是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发,就是一些与非门构成的结构,一般整合在CPU内,其读写速度跟CPU的运行速度基本匹配,但因为性能好,所以造价昂贵,一般好的CPU也就只有几MB的2级缓存,1级缓存更小。
存储器是在CPU外,一般指硬盘,U盘等可以在切断电源后保存资料的设备,容量一般比较大,缺点是读写速度都很慢,普通的机械硬盘读写速度一般是50MB/S左右。
所以内存和寄存器的出现就是为了解决存储器读写速度慢而产生的多级存储机制。
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单片机的数据存储器由读写存储器 RAM 组成。其大容量可扩展到 64k,用于存储实时输入的数据。8051 内部有 256 个单元的内部数据存储器,其中 00H~7FH 为内部随机存储器 RAM,80H~FFH 为寄存器区。实际使用时应首先充分利用内部存储器,从使用角度讲,搞清内部数据存储器的结构和地址分配是十分重要的。因为将来在学习指令系统和程序设计时会经常用到它们。8051 内部数据存储器地址由 00H 至 FFH 共有 256 个字节的地址空间,该空间被分为两部分,高温150度读写存储器介绍,其中内部数据 RAM 的地址为 00H~7FH(即 0~127)。而用做特殊功能寄存器的地址为 80H~FFH。在此 256 个字节中,还开辟有一个所谓“位地址”区,该区域内不但可按字节寻址,还可按“位(bit)”寻址。对于那些需要进行位操作的数据,可以存放到这个区域。从 00H 到 1FH 安排了四组工作寄存器,每组占用 8 个 RAM 字节,记为 R0~R7。究竟选用那一组寄存器,由前述标志寄存器中的 RS1 和 RS0 来选用。在这两位上放入不同的二进制数,即可选用不同的寄存器组。
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